等离子去胶机清洁规范
等离子去胶机的腔室清洁是保障良率的核心防线，需建立三级清洁体系（日常/预防/深度），严控副产物聚合物沉积带来的致命风险：一、日常清洁（每班次执行）
核心目标：抑制活性自由基聚合物
腔壁擦拭：停机后立即用无纺布蘸取电子级异丙醇（IPA），以同心圆路径擦拭腔壁及电极表面，重点清除粘性氟碳化合物（防止后续高温碳化）
石英窗透光率保卫战：
用氟化铵缓冲液（BHF：HF/NH₄F=1:7）浸透超细海绵
单向轻拂石英视窗＞5次，透光率需维持92%以上
气体喷淋头抢救：200μm孔径用0.1MPa氮气反吹，同步超声波振荡器（40kHz）震落嵌壁微粒
二、预防性清洁（每50片晶圆/8小时）
工艺原理：氧等离子体燃烧碳化聚合物
原位干法清洗（关键！）：
充入纯氧至2Torr，启动2000W射频功率
维持60分钟，监测CO₂浓度峰值（＞5000ppm表明反应完全）
电极活化再生：通入10%NF₃/氩混合气，低温模式（150℃）蚀刻铝电极表面氧化层2μm
真空管路排毒：尾气阀切至燃烧塔，950℃高温分解剧毒COF₂生成物
三、深度清洁（每500片/周）
等离子去胶机拆解操作（必须降温至25℃！）
电极板复活手术：
拆下铝制电极浸泡于磷酸/醋酸混合液（3:1）
阳极氧化处理重建10μm陶瓷防护层
腔体喷砂重生：50μm氧化铝颗粒冲击内壁，粗糙度Ra控制0.8±0.1μm（过光滑导致等离子体湍流）
隐藏杀手清除：用内窥镜检查腔体铰链死角，超声探针震落＞10μm的烧结物
四、清洁效果验证（量化标准）
痕量检测：晶圆级残留金属离子（Na⁺/K⁺）＜1E10atoms/cm²
等离子体均一性测试：空白硅片去胶速率波动≤±2%(9点测试)
粒子监控：清洁后首片晶圆增量为＜5颗（≥0.2μm）
五、周期调整的黄金法则
►缩短清洁间隔的红色警报：
工艺气体含碳量上升（CF₄占比＞20%）
OES检测到388nm氰基（CN*）特征峰
腔体视窗透光率周衰减＞3%
►可延长周期绿色信号：
启用He/O₂混合气替代纯氧（聚合物生成率降低40%）
电极表面镀类金刚石涂层（DLC）
这个问题挺有意思的，加入讨论。 你分享的经验对我很有帮助，谢谢！ 很有价值的讨论，继续保持。
页:
[1]