台积电现在是多少纳米技术

卡迪升科技

　　截至2025年7月，台积电已实现量产的先进制程技术是3纳米（N3），并且即将量产2纳米（N2）技术。
　　3纳米（N3）技术：目前，台积电3纳米家族包括已经量产的N3、N3E，后续还推出了N3P、N3X、N3A和N3C等不同应用变体。其中，N3X制程拥有更高的1.2V最大电压，相较N3P制程在相同频率下功耗降低7%，在相同面积下性能提升5%，在相同频率下密度提升10%。目前几乎所有旗舰智能手机SoC都依赖于台积电的第二代3纳米工艺（N3E），三星的Exynos2500是个例外，它采用了自家的3纳米GAAFET技术。大多数芯片制造商正在准备迁移到第三代3纳米节点（N3P），台积电自去年底以来已开始N3P的大规模生产，预计2025年总产能将增长超过60%。
　　2纳米（N2）技术：台积电计划于2025年下半年开始量产N2芯片，这是台积电依赖于全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的生产技术。N2将提供全节点性能和功耗优势，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗降低20%-30%。N2与目前台积电量产的N3E相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%，晶体管的密度也可以增加15%。同时，台积电表示N2的晶体管性能接近目标，256Mb SRAM模块的平均良率也超过90%，随着N2走向量产，工艺成熟度将处于较高水平。此外，台积电还推出了N2P作为N2系列的扩展，N2P是在N2的基础上又进一步提升了性能和功耗优势，并计划于2026年实现投产。
　　未来，台积电还规划了更先进的制程技术，如预计2026年量产的1.6纳米（A16）制程，以及预计2028年投入量产的1.4纳米（A14）先进制程技术。