SAT 210等离子去胶机

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    一、设备定义与核心功能​​
   SAT 210等离子去胶机是一种利用​​低温氧等离子体​​选择性去除晶圆表面​​光刻胶（Photoresist）​​的干法工艺设备，广泛应用于半导体制造、先进封装、MEMS（微机电系统）等领域。其核心功能是通过物理轰击与化学反应的双重作用，实现光刻胶的高效、无残留去除，同时避免对底层材料（如金属、介质层）的损伤。
    ​​二、核心工作原理​​
    ​​1.氧等离子体主导反应​​
    ​​气体电离​​：通入高纯度氧气（O₂），在射频电场（通常13.56MHz）激发下产生等离子体，包含高活性​​原子氧（O⁺）自由基、离子、电子及紫外线光子​​。
    ​​化学反应​​：
    ​​光刻胶（CₓHᵧ）+原子氧（O）→CO₂↑+H₂O↑​​
    有机光刻胶被氧化分解为挥发性气体（CO₂、H₂O），由真空系统抽除。
    ​​2.物理辅助增强（可选）​​
    对​​离子注入后硬化胶​​或​​金属残留胶​​，可添加​​氩气（Ar）​​，利用氩离子轰击（物理溅射）提升去除效率。
    ​​反应平衡​​：通过调节O₂/Ar比例（典型值4:1）控制化学/物理作用占比，避免过度刻蚀损伤器件。
    ​​三、SAT 210等离子去胶机主要特点
    1.实时检测和显示真空度,使得机器在智能控制下有了可靠的依据.
    2.真空值可自由设定,(范围:10—60帕)为外加气体提供了可靠的辉光启动环境,为辉光纯度提供了有利的保障,保证了实验效果的准确性和可靠性.
    3.真空腔体采用铰链侧开门结构，带有观察窗，材料为6061材质.
    4.真空腔体、管路、阀体全部为不锈钢材料.
    5.电容式（CCP）激发,实验效果稳定,均匀可靠,电极板置于样品仓内顶部悬挂.
    6.薄膜按键+液晶屏显示控制,手动自动两种模式任意切换.
    7.程序化设计，预先编辑好程序，仪器自动完成实验.
    8.利用气体电离后产生的等离子体的反应活性与材料表面发生的物理或者化学反应，使材料表面成分、组成和结构发生变化，并能得到某些特定的基团。
    9.无需任何耗材，使用成本低，无需特殊进行维护，在日常使用中保持仪器清洁即可。
    ​​四、关键应用场景​​
    ​​1.半导体前道制程​​
    ​​光刻后去胶​​：去除曝光显影后的光刻胶（如ArF、KrF、EUV胶）。
    ​​离子注入后去胶​​：处理硬化胶层（需O₂/Ar混合气体增强）。
    ​​刻蚀/沉积掩模去除​​：清除金属刻蚀（如Al、Cu）或介质沉积后的残留胶。
    ​​2.先进封装​​
    ​​RDL（重布线层）制程​​：去除硅通孔（TSV）、铜柱（CuPillar）上的光刻胶。
    ​​晶圆级封装（WLP）​​：清理微凸点（Microbump）周围的胶残留。
    ​​3.MEMS/显示制造​​
    ​​MEMS结构释放​​：去除牺牲层光刻胶（如SOI晶圆上的Polyimide胶）。
    ​​显示面板制程​​：清除TFT阵列或OLED像素定义胶层。
    ​​4.特殊场景​​
    ​​金属剥离（Lift-off）​​：去除图形化金属沉积后的胶掩模，形成精细电极。
    ​​灰化残留物​​：清理刻蚀/研磨后的有机聚合物残留（如CMP后清洗）。